431-TT

431-TTは、SiC（炭化ケイ素）、GaN（窒化ガリウム）、IGBT、MOSFET、パワートランジスタ、ダイオードなど、幅広いパワー半導体デバイスの静特性測定に対応した高性能DCテストシステムです。研究開発・評価用途から量産工程まで幅広いアプリケーションに対応し、高電圧・大電流測定を必要とするパワーデバイスの特性評価を高精度かつ効率的に実現します。
標準構成では最大1.2kV／65A（C-E間130A）、拡張構成では最大2.2kV／200Aまで対応し、さらにオプションユニットを追加することで最大10kV／1200Aまでの測定環境を構築することが可能です。次世代パワー半導体の高耐圧化・大電流化への要求に応え、EV（電気自動車）、再生可能エネルギーシステム、産業機器用インバータ、電源機器向けデバイスの開発および品質評価に最適なテストソリューションを提供します。
また、プローバやハンドラとの連携により、ウェーハテストからファイナルテストまで一貫した評価環境を構築できるため、生産性向上と高品質なデバイス評価を両立します。

特徴

・SiC・GaNを含む幅広いパワー半導体に対応
　SiC MOSFET、GaNデバイス、IGBT、FET、トランジスタ、ダイオードなど、多様なパワー半導体デバイスのDC特性測定に対応します。次世代パワーデバイスの研究開発や量産評価に最適です。
・高電圧・大電流測定を実現
　標準構成で最大1.2kV／65A、拡張構成で最大2.2kV／200Aに対応し、さらに外部オプションにより最大10kV／1200Aまで拡張可能です。高耐圧・高出力化が進むパワー半導体の評価ニーズに対応します。
・ウェーハテストからファイナルテストまで対応
　プローバやハンドラと組み合わせることで、開発段階のウェーハ評価から量産ラインでのファイナルテストまで柔軟な運用が可能です。評価設備と量産設備の統合を支援します。
・マルチデバイステストによる生産性向上
　2 DUT同時測定に対応したマルチデバイステスト機能を搭載し、測定時間の短縮と検査効率向上を実現します。量産工程におけるスループット向上に貢献します。
・ウェーハパラレル測定機能
　2チップ同時測定によるウェーハパラレルテストに対応し、評価時間の短縮とコスト削減をサポートします。パワー半導体の量産検査工程に適した測定環境を提供します。
・高速・高精度なDC特性評価
　VIソースメジャーモジュール構成を採用し、パワーデバイスの静特性評価を高速かつ高精度に実施します。電圧・電流特性、リーク特性などの評価を効率的に行うことができます。