471-TT Version LA

471-TT Version LAは、SiC MOSFET、GaN FET、Si MOSFET、IGBTなどのパワー半導体向けウェーハレベル（CP工程）全自動テストシステムです。 ブレークダウン電圧（Vds/Vdss）、漏れ電流（IDSS）、しきい値電圧（Vgs(th)）、オン抵抗（Rds(on)）などの「DC静特性測定」に加え、誘導負荷（L負荷）遮断時のアバランシェ耐量・アバランシェエネルギー試験（UIS/UIL：Unclamped Inductive Switching）をワンパス（1コンタクト）で連続測定できます。 最大2kV・200Aのハイパワー試験能力を備え、200mm（8インチ）および300mm（12インチ）ウェーハの量産検査・KGD（Known Good Die）確保に対応。東京精密製ウェーハプローバ（UF2000、AP3000＋DARUMAチャック）との完全統合ソリューションにより、車載・産業用パワーデバイスの高品質かつ高効率な検査を実現します。

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471-TT

471-TTは、ウェーハ測定工程における複数チップ同時測定を実現するパワーデバイス用DCテストシステムです。8パラレルおよび16パラレルの同時測定に対応し、従来のシングル測定方式と比較して大幅なスループット向上を実現します。パワー半導体の量産検査工程における生産性向上とテストコスト削減に貢献し、高効率なウェーハテスト環境を提供します。 また、テセックが培ってきた高電圧・大電流測定技術を継承し、最大2kVの高電圧印加に対応しています。SiC MOSFET、GaN HEMT、IGBT、ダイオードなど各種パワー半導体デバイスのDC特性評価を高精度に実施できるだけでなく、市場ニーズの高いアバランシェ測定にも対応しています。これにより、SiCデバイスや次世代パワー半導体の品質評価、信頼性評価、量産工程での検査効率向上を支援します。 さらに、ニーズが多いRg、Cissなどの容量測定にも対応。LAN通信による高速データ転送や高速リレー切換機能により測定時間を短縮し、生産ライン全体のタクトタイム改善に貢献します。EV向けパワー半導体、産業機器用インバータ、再生可能エネルギー機器向けデバイスなど、大量生産が求められるパワー半導体市場に最適なテストソリューションです。

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431-TT

431-TTは、SiC（炭化ケイ素）、GaN（窒化ガリウム）、IGBT、MOSFET、パワートランジスタ、ダイオードなど、幅広いパワー半導体デバイスの静特性測定に対応した高性能DCテストシステムです。研究開発・評価用途から量産工程まで幅広いアプリケーションに対応し、高電圧・大電流測定を必要とするパワーデバイスの特性評価を高精度かつ効率的に実現します。 標準構成では最大1.2kV／65A（C-E間130A）、拡張構成では最大2.2kV／200Aまで対応し、さらにオプションユニットを追加することで最大10kV／1200Aまでの測定環境を構築することが可能です。次世代パワー半導体の高耐圧化・大電流化への要求に応え、EV（電気自動車）、再生可能エネルギーシステム、産業機器用インバータ、電源機器向けデバイスの開発および品質評価に最適なテストソリューションを提供します。 また、プローバやハンドラとの連携により、ウェーハテストからファイナルテストまで一貫した評価環境を構築できるため、生産性向上と高品質なデバイス評価を両立します。

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530-IT

530-ITは、TESECが長年培ってきたパワーデバイス測定技術とICテスタ技術を融合し、IPD（Intelligent Power Device）やIPM（Intelligent Power Module）の評価・検査に最適化したテストシステムです。ロジックICとパワーデバイスが一体化された複雑なパワー半導体製品に対応し、開発段階の特性評価から量産工程の品質検査まで幅広い用途で活用できます。 近年、EV（電気自動車）、産業機器、エアコン、サーボモータ、再生可能エネルギーシステムなどに搭載されるIPMやパワーモジュールでは、高度な保護回路や制御回路の内蔵が進んでいます。530-ITは、こうした高機能パワー半導体の特性評価に必要な多彩な電源・測定機能を備え、デバイス性能と信頼性を効率的に評価します。 また、最大2.2kV・67Aの高電圧・大電流測定に対応し、拡張構成では最大200Aまでの評価が可能です。さらに、外部測定器との連携機能やパラレル測定機能を備え、多様化するパワー半導体市場に柔軟に対応できる拡張性の高いテストプラットフォームを提供します。

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3430-SW

3430-SWは、IGBTおよびMOSFETのダイナミック特性を高速かつ高精度に評価するパワー半導体向けダイナミックテストシステムです。スイッチング時間測定、短絡耐量試験（I-Short）、逆回復特性（trr）評価など、パワーデバイスの実動作に近い条件での評価を実現します。 SiC MOSFETや高耐圧IGBTなど、近年のパワー半導体には高効率化と高信頼性が求められています。3430-SWは最大1500V、1000Aクラスの試験条件に対応し、EV向けインバータ、産業機器、再生可能エネルギー用電力変換システム向けデバイスの開発および品質評価を支援します。

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4324-KT

4324-KTは、トランジスタ、ダイオード、MOSFET、IGBTなどのパワー半導体デバイスを対象とした熱抵抗測定およびSOA（Safe Operating Area）評価システムです。過渡熱抵抗測定によりデバイスの発熱特性を評価するとともに、安全動作領域試験によって信頼性や耐久性を検証できます。 EV向けパワー半導体、産業用インバータ、再生可能エネルギー向け電力変換装置など、高信頼性が求められるアプリケーションでは、熱設計と信頼性評価が重要です。4324-KTは熱特性評価とSOA試験を1台で実施できるため、開発効率向上と品質保証強化に貢献します。

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4408-KT

4408-KTは、GaN HEMTをはじめとする次世代パワー半導体デバイスの過渡熱抵抗（Transient Thermal Resistance）を高精度に測定する熱特性評価システムです。温度変化に伴うVGS変動量（ΔVGS）を利用して熱抵抗特性を評価し、デバイスの発熱特性や放熱性能を定量的に解析します。GaNパワーデバイスの研究開発、品質保証、量産工程における熱特性評価に最適なソリューションです。 EV向け電源システム、高効率パワーコンバータ、産業機器向けGaNパワーデバイスなど、高密度実装が進む半導体市場において、熱設計の重要性はますます高まっています。4408-KTは、熱抵抗（Rth）および温度上昇量（ΔT）を高速かつ高精度に測定し、デバイス性能と信頼性向上を支援します。

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4602-LV

4602-LVは、MOSFETをはじめとするパワー半導体デバイスのアバランシェ耐量試験および信頼性評価に対応したUISテスタ（L負荷テスタ）です。誘導負荷ターンオフ時の動作波形を監視し、SOA（Safe Operating Area：安全動作領域）に基づいた評価を行うことで、デバイスの耐久性や品質を高精度に判定します。また、指定電流条件におけるVDS（SUS）測定にも対応し、製品開発から量産品質保証まで幅広い用途で活用できます。 近年、EV（電気自動車）、産業用インバータ、電源機器などで使用されるMOSFETやパワーデバイスは低オン抵抗化と高電流化が進んでおり、従来方式では十分な評価が困難なケースが増えています。4602-LVは新しい測定方式であるVD-OFFモードやTime-Tripモードを採用し、大電流環境下におけるアバランシェ試験を実現します。さらに最大300V、200Aの試験条件に対応し、車載用MOSFETや高信頼性パワー半導体の評価ニーズに応えます。

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