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GaN HEMT対応 熱抵抗テスタ | 過渡熱抵抗・熱特性評価システム
4408-KT
4408-KTは、GaN HEMTをはじめとする次世代パワー半導体デバイスの過渡熱抵抗(Transient Thermal Resistance)を高精度に測定する熱特性評価システムです。温度変化に伴うVGS変動量(ΔVGS)を利用して熱抵抗特性を評価し、デバイスの発熱特性や放熱性能を定量的に解析します。GaNパワーデバイスの研究開発、品質保証、量産工程における熱特性評価に最適なソリューションです。
EV向け電源システム、高効率パワーコンバータ、産業機器向けGaNパワーデバイスなど、高密度実装が進む半導体市場において、熱設計の重要性はますます高まっています。4408-KTは、熱抵抗(Rth)および温度上昇量(ΔT)を高速かつ高精度に測定し、デバイス性能と信頼性向上を支援します。
特徴
・GaN HEMTの過渡熱抵抗評価に対応
ΔVGSを利用した高感度測定により、GaNデバイスの熱特性を高精度に評価します。
・熱抵抗(Rth)と温度上昇量(ΔT)を自動演算
測定結果から熱抵抗値や温度上昇量を算出し、評価作業を効率化します。
・パワーデバイスの熱設計・信頼性評価を支援
開発段階の熱解析から量産時の品質管理まで幅広く対応します。
・TESEC製DCテスタとの連携
既存のDCテストシステムと組み合わせて効率的な評価環境を構築できます。
・外部制御・データ収集に対応
GPIBおよびRS-232Cインターフェースにより、自動評価システムへの組込みが可能です。
■ソフトウエアオプション例
・PCによるテスタコントロールソフトウエア
(テストプログラム作成、データ収集、カウンタ収集)
・機能チェックユニットを用いた測定データ収集ソフトウェア
| Item | Specifications |
ドレイン印加電流(ID) |
00.01 ~ 20.00A |
測定電流(IM) |
000.1 ~ 999.9mA |
ゲート電圧(VGS) |
00.1 ~ 10.0V |
ゲートリミット電圧(GATE-L) |
01.0 ~ 10.0V |
電力印加時間(PT) |
100 µs ~ 30.0s |
遅れ時間(DT) |
010 ~ 999µs |
上限、下限 |
000.0 ~ 999.9mV |
VDS |
01.0 ~ 70.0V |
測定範囲 |
VGS1 0000.0 ~ 2000.0mV ΔVGS 0000.0 ~ 999.9mV (分解能0.1mV) |
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Contact
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代表 tel.042-566-1111
8:30 ~ 17:30
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