3430-SW

3430-SWは、IGBTおよびMOSFETのダイナミック特性を高速かつ高精度に評価するパワー半導体向けダイナミックテストシステムです。スイッチング時間測定、短絡耐量試験（I-Short）、逆回復特性（trr）評価など、パワーデバイスの実動作に近い条件での評価を実現します。
SiC MOSFETや高耐圧IGBTなど、近年のパワー半導体には高効率化と高信頼性が求められています。3430-SWは最大1500V、1000Aクラスの試験条件に対応し、EV向けインバータ、産業機器、再生可能エネルギー用電力変換システム向けデバイスの開発および品質評価を支援します。

特徴

・スイッチング特性評価に対応
turn-on時間、turn-off時間、立上り時間、立下り時間、Eon、Eoffなどを測定できます。
・短絡耐量（I-Short）試験
パワーデバイスの短絡保護性能および耐久性を評価できます。
・trr・Qrr評価による逆回復特性解析
高速スイッチング用途で重要な逆回復特性を詳細に測定できます。
・最大4ステーション並列測定
測定項目ごとの専用ステーション構成により、高スループット評価を実現します。
・高速波形解析による測定時間短縮
独自の波形解析技術により評価時間を大幅に短縮します。
・SiC・IGBT・MOSFET評価に最適
次世代パワー半導体の開発・特性評価・品質保証工程に対応します。