パワー半導体熱抵抗測定システム | SOA試験・信頼性評価対応

4324-KT

4324-KT

4324-KTは、トランジスタ、ダイオード、MOSFET、IGBTなどのパワー半導体デバイスを対象とした熱抵抗測定およびSOA(Safe Operating Area)評価システムです。過渡熱抵抗測定によりデバイスの発熱特性を評価するとともに、安全動作領域試験によって信頼性や耐久性を検証できます。
EV向けパワー半導体、産業用インバータ、再生可能エネルギー向け電力変換装置など、高信頼性が求められるアプリケーションでは、熱設計と信頼性評価が重要です。4324-KTは熱特性評価とSOA試験を1台で実施できるため、開発効率向上と品質保証強化に貢献します。

特徴

・MOSFET・IGBT・トランジスタの熱抵抗測定
各種パワー半導体の過渡熱抵抗(Rth)を高精度に評価できます。
・SOA評価による信頼性試験
安全動作領域試験によりデバイスの耐久性と品質を検証します。
・温度上昇量と熱抵抗を自動表示
ΔTおよびRthを演算表示し、評価工数を削減します。
・デバイス保護機能を搭載
コンタクトチェック機能と異常検知機能により、測定時のデバイス損傷リスクを低減します。
・パワー半導体の開発・量産品質評価に最適
研究開発から量産工程まで幅広い用途に対応します。


■ソフトウエアオプション例
・PCによるテスタコントロールソフトウエア
(テストプログラム作成、データ収集、カウンタ収集)
・デバイスごとの特性カーブ表示ソフトウエア
・機能チェックユニットを用いた測定データ収集ソフトウェア

Item Specifications

パワー印加設定範囲(VCB/VDS)

1 ~ 200V

エミッタ印加電流(IE/IDS)

00.001 ~ 50.000A

測定電流(IM)

1 ~ 100mA

1 ~ 400mA(△VCE)

電力印加時間(PT)

 300μs ~ 9.99s

遅れ時間(DT)

10 ~ 999μs

Lower リミット

000.0 ~ 999.9mV , 0000 ~ 9999mV

Upper リミット

000.0 ~ 999.9mV , 0000 ~ 9999mV

測定範囲

VBE1/VDS1/VGS1/VF1/[VCE(4324-KT)] : 0000 ~ 9999mV
△VBE/△VDS/△VGS/△VF/[△VCE(4324-KT)] : 000.0 ~ 999.9mV(分解能 0.1mV)
0000 ~ 9999mV (分解能 1mV)
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