471-TT Version LA

471-TT Version LAは、SiC MOSFET、GaN FET、Si MOSFET、IGBTなどのパワー半導体向けウェーハレベル（CP工程）全自動テストシステムです。
ブレークダウン電圧（Vds/Vdss）、漏れ電流（IDSS）、しきい値電圧（Vgs(th)）、オン抵抗（Rds(on)）などの「DC静特性測定」に加え、誘導負荷（L負荷）遮断時のアバランシェ耐量・アバランシェエネルギー試験（UIS/UIL：Unclamped Inductive Switching）をワンパス（1コンタクト）で連続測定できます。
最大2kV・200Aのハイパワー試験能力を備え、200mm（8インチ）および300mm（12インチ）ウェーハの量産検査・KGD（Known Good Die）確保に対応。東京精密製ウェーハプローバ（UF2000、AP3000＋DARUMAチャック）との完全統合ソリューションにより、車載・産業用パワーデバイスの高品質かつ高効率な検査を実現します。

特徴

・DC静特性 ＋ L負荷（アバランシェ耐量）のワンパスシームレス測定
　大電流・高耐圧のDC静特性試験から、UIS試験（L負荷・アバランシェエネルギー耐量）まで、同一コンタクトで連続的かつ高速に自動測定。テストタクトタイムと搬送コストを大幅削減します。
・最大4チップ（パラレル）同時測定による高生産性
　DC 2kV / 20Aでのマルチサイト同時測定に対応し、ウェーハテストの処理能力（UPH）を飛躍的に向上させます。
・超高速破壊保護機能（500ns以下）
　UIS/L負荷試験中の不意のデバイス破壊（ショート・アバランシェ破壊）時にも、500ns（ナノ秒）以下で測定回路を自動遮断。プローブカード、針、ウエハ、装置への物理的・電気的ダメージを最少限に抑えます。
・最適化された高精度ウェーハ測定環境
　WTS（Wafer Test System）、DARUMAチャックステージ、加圧カード機能により、高耐圧・大電流印加時の放電や接触抵抗を抑制し、安定した測定環境を提供します。