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支持 GaN HEMT 熱阻测试仪 | 瞬态热阻与热特性评估系统
4408-KT
4408-KT 是一款用于高精度测量以 GaN HEMT 为代表的下一代功率半导体器件瞬态热阻(Transient Thermal Resistance)的热特性评估系统。利用随温度变化而产生的 VGS 变化量(ΔVGS)评估热阻特性,定量分析器件的发热特性及散热性能。它是适用于 GaN 功率器件的研发、质量保证以及量产工序中热特性评估的最佳解决方案。
在电动汽车电源系统、高效功率转换器以及工业设备用 GaN 功率器件等高密度封装不断推进的半导体市场中,热设计的重要性日益提高。4408-KT 能快速且高精度地测量热阻(Rth)及温升量(ΔT),助力提升器件性能与可靠性。
特点
・支持 GaN HEMT 的瞬态热阻评估
利用 ΔVGS 进行高灵敏度测量,高精度评估 GaN 器件的热特性。
・自动计算热阻(Rth)与温升量(ΔT)
根据测量结果计算热阻值和温升量,提高评估工作效率。
・支持功率器件的热设计与可靠性评估
广泛覆盖从开发阶段的热分析到量产时的质量管理。
・与 TESEC 制 DC 测试仪联动
结合现有 DC 测试系统,构建高效的评估环境。
・支持外部控制与数据采集
通过 GPIB 及 RS-232C 接口,可轻松嵌入自动化评估系统。
■ 软件选件示例
・基于 PC 的测试仪控制软件
(测试程序创建、数据采集、计数器采集)
・使用功能检查单元的测量数据采集软件
| Item | Specifications |
漏极电流 (ID) |
00.01 ~ 20.00A |
测量电流 (IM) |
000.1 ~ 999.9mA |
栅极电压 (VGS) |
00.1 ~ 10.0V |
栅极限制电压 (GATE-L) |
01.0 ~ 10.0V |
通电时间 (PT)T |
100微秒 ~ 30.0秒 |
延迟时间 (DT) |
010 ~ 999微秒 |
上限/下限 |
000.0 ~ 999.9mV |
VDS |
01.0 ~ 70.0V |
测量范围 |
VGS1 0000.0 ~ 2000.0mV ΔVGS 0000.0 ~ 999.9mV(分辨率 0.1mV) |
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Contact
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代表tel.042-566-1111
8:30 ~ 17:30
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