471-TT Version LA

471-TT Version LA 是一款适用于 SiC MOSFET、GaN FET、Si MOSFET、IGBT 等功率半导体的晶圆级（CP 工序）全自动测试系统。除可测量击穿电压（Vds/Vdss）、漏电流（IDSS）、阈值电压（Vgs(th)）、导通电阻（Rds(on)）等 DC 静态特性外，还可通过一次接触（One-Pass）连续完成电感负载（L 负载）关断条件下的雪崩耐量及雪崩能量测试（UIS/UIL：非箝位感性开关测试，Unclamped Inductive Switching）。 系统具备最高 2 kV、200 A 的大功率测试能力，支持 200 mm（8 英寸） 及 300 mm（12 英寸） 晶圆的量产检测与 KGD（Known Good Die）筛选。通过与东京精密晶圆探针台（UF2000、AP3000 + DARUMA Chuck）的全面集成，可为车载及工业电力器件提供高质量、高效率的测试解决方案。

471-TT

471-TT 是一款用于功率器件的直流（DC）测试系统，可实现晶圆测试工序中的多芯片同时测试。支持 8 并行及 16 并行的同时测试，与传统的单芯片测试方式相比，实现了大幅度的吞吐量提升。该系统有助于提高功率半导体量产检验工序中的生产效率并降低测试成本，提供高效的晶圆测试环境。 此外，它继承了 TESEC 长期积累的高压、大电流测试技术，支持最高 2kV 的高压施加。不仅能够高精度地对 SiC MOSFET、GaN HEMT、IGBT、二极管等各类功率半导体器件进行直流特性评估，还支持市场需求强烈的雪崩测试（Avalanche Testing）。由此，可助力 SiC 器件及下一代功率半导体的质量评估、可靠性评估以及量产工序中的检验效率提升。 更进一步，它还支持需求众多的 Rg、Ciss 等电容测量。通过基于 LAN 通信的高速数据传输和高速继电器切换功能，缩短测试时间，为整条生产线的节拍时间（Tact Time）改善做出贡献。这是面向电动汽车（EV）用功率半导体、工业设备用逆变器、可再生能源设备用器件等需要大批量生产的功率半导体市场的最佳测试解决方案。

431-TT

431-TT是一款支持SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）、IGBT、MOSFET、功率晶体管、二极管等多种功率半导体器件静态特性测试的高性能DC测试系统。适用于从研发·评估到量产工序的广泛应用领域，高精度且高效地实现需要高电压·大电流测量的功率器件特性评估。 标准配置支持最大1.2kV / 65A（C-E间130A），扩展配置支持最大2.2kV / 200A，通过添加选配单元，可构建最大10kV / 1200A的测试环境。满足下一代功率半导体对高耐压化·大电流化的需求，为面向EV（电动汽车）、可再生能源系统、工业设备用逆变器及电源设备的器件开发与质量评估提供最佳测试解决方案。 此外，通过与探针台及分选机的联动，能够构建从晶圆测试到成品测试的一体化评估环境，兼顾生产力的提升与高质量的器件评估。

530-IT

530-IT 是一款融合了 TESEC 长期积累的功率器件测试技术与 IC 测试机技术，专为 IPD（Intelligent Power Device，智能功率器件）及 IPM（Intelligent Power Module，智能功率模块）的评估与检验而优化的测试系统。可应对逻辑 IC 与功率器件一体化的复杂功率半导体产品，广泛应用于从开发阶段的特性评估到量产工序的质量检验等多种场景。 近年来，搭载于电动汽车（EV）、工业设备、空调、伺服电机、可再生能源系统等领域的 IPM 及功率模块，其内置的高阶保护电路和控制电路日益普遍。530-IT 具备对此类高功能功率半导体进行特性评估所需的丰富电源及测试功能，能够高效评估器件性能与可靠性。 此外，该系统支持最大 2.2kV / 67A 的高压及大电流测试，在扩展配置下最高可评估至 200A。更具备与外部测试仪器联动的功能以及并行测试功能，提供能够灵活应对多样化功率半导体市场的、具高扩展性的测试平台。

3430-SW

3430-SW 是一款用于功率半导体的高速、高精度评估 IGBT 及 MOSFET 动态特性的动态测试系统。可实现开关时间测量、短路耐受试验（I-Short）、反向恢复特性（trr）评估等贴近功率器件实际运行条件下的评估。 SiC MOSFET 及高压 IGBT 等近年来对功率半导体提出了高效率与高可靠性的要求。3430-SW 支持最高 1500V、1000A 级别的测试条件，助力电动汽车（EV）逆变器、工业设备、可再生能源电力转换系统用器件的开发及质量评估。

4324-KT

4324-KT 是一款以晶体管、二极管、MOSFET、IGBT 等功率半导体器件为对象的热阻测量及 SOA（Safe Operating Area，安全工作区）评估系统。通过瞬态热阻测量，可以评估器件的发热特性；同时，通过安全工作区测试，能够验证器件的可靠性与耐久性。 在电动汽车（EV）用功率半导体、工业用逆变器以及可再生能源用电力转换装置等要求高可靠性的应用领域中，热设计与可靠性评估至关重要。4324-KT 仅凭一台设备即可同时完成热特性评估与 SOA 测试，有助于提高开发效率并强化质量保证。

4408-KT

4408-KT 是一款用于高精度测量以 GaN HEMT 为代表的下一代功率半导体器件瞬态热阻（Transient Thermal Resistance）的热特性评估系统。利用随温度变化而产生的 VGS 变化量（ΔVGS）评估热阻特性，定量分析器件的发热特性及散热性能。它是适用于 GaN 功率器件的研发、质量保证以及量产工序中热特性评估的最佳解决方案。 在电动汽车电源系统、高效功率转换器以及工业设备用 GaN 功率器件等高密度封装不断推进的半导体市场中，热设计的重要性日益提高。4408-KT 能快速且高精度地测量热阻（Rth）及温升量（ΔT），助力提升器件性能与可靠性。

4602-LV

4602-LV 是一款支持以 MOSFET 为代表的功率半导体器件雪崩耐量测试及可靠性评估的 UIS 测试仪（L负载测试仪）。通过监视感性负载关断时的动作波形，并基于 SOA（Safe Operating Area：安全工作区）进行评估，从而高精度判定器件的耐久性与品质。此外，它还支持指定电流条件下的 VDS(SUS) 测量，可广泛应用于从产品开发到量产质量保证的各种用途。 近年来，用于电动汽车（EV）、工业逆变器、电源设备等的 MOSFET 和功率半导体正朝着低导通电阻和大电流化方向发展，传统方式难以进行充分评估的情况日益增多。4602-LV 采用了 VD-OFF 模式和 Time-Trip 模式等全新测量方式，实现了大电流环境下的雪崩测试。此外，还支持最大 300V、200A 的测试条件，满足车规级 MOSFET 及高可靠性功率半导体的评估需求。