3430-SW

3430-SW 是一款用于功率半导体的高速、高精度评估 IGBT 及 MOSFET 动态特性的动态测试系统。可实现开关时间测量、短路耐受试验（I-Short）、反向恢复特性（trr）评估等贴近功率器件实际运行条件下的评估。
SiC MOSFET 及高压 IGBT 等近年来对功率半导体提出了高效率与高可靠性的要求。3430-SW 支持最高 1500V、1000A 级别的测试条件，助力电动汽车（EV）逆变器、工业设备、可再生能源电力转换系统用器件的开发及质量评估。

特点

・支持开关特性评估
可测量 turn-on 时间、turn-off 时间、上升时间、下降时间、Eon、Eoff 等参数。
・短路耐受（I-Short）试验
可评估功率器件的短路保护性能及耐久性。
・通过 trr・Qrr 评估进行反向恢复特性分析
可详细测量高速开关用途中至关重要的反向恢复特性。
・最多 4 工位并行测试
通过针对各测试项目的专用工位配置，实现高吞吐量的评估。
・通过高速波形分析缩短测试时间
依托独创的波形分析技术，大幅缩短评估时间。
・最适合 SiC・IGBT・MOSFET 评估
适用于下一代功率半导体的开发、特性评估及质量保证工序。