471-TT Version LA

471-TT Version LA 是一款适用于 SiC MOSFET、GaN FET、Si MOSFET、IGBT 等功率半导体的晶圆级（CP 工序）全自动测试系统。除可测量击穿电压（Vds/Vdss）、漏电流（IDSS）、阈值电压（Vgs(th)）、导通电阻（Rds(on)）等 DC 静态特性外，还可通过一次接触（One-Pass）连续完成电感负载（L 负载）关断条件下的雪崩耐量及雪崩能量测试（UIS/UIL：非箝位感性开关测试，Unclamped Inductive Switching）。
系统具备最高 2 kV、200 A 的大功率测试能力，支持 200 mm（8 英寸） 及 300 mm（12 英寸） 晶圆的量产检测与 KGD（Known Good Die）筛选。通过与东京精密晶圆探针台（UF2000、AP3000 + DARUMA Chuck）的全面集成，可为车载及工业电力器件提供高质量、高效率的测试解决方案。

特点

・DC 静态特性与 L 负载（雪崩耐量）一站式无缝测试
从大电流、高耐压 DC 静态特性测试到 UIS 测试（L 负载及雪崩能量耐量测试），均可通过单次接触实现连续、高速自动测量，大幅缩短测试节拍时间并降低晶圆搬送成本。

・最多 4 颗芯片并行测试，实现高生产效率
支持在 DC 2 kV / 20 A 条件下进行最多 4 个测试点同步测量，大幅提升晶圆测试产能（UPH）。

・超高速失效保护功能（500 ns 以下）
即使在 UIS/L 负载测试过程中发生器件意外失效（短路、雪崩击穿等），系统也可在 500 ns（纳秒）以内 自动切断测试电路，有效降低对探针卡、探针、晶圆及测试设备造成的物理和电气损伤。

・优化的高精度晶圆测试环境
通过 WTS（Wafer Test System）、DARUMA Chuck 台面 以及 加压探针卡功能 的协同设计，可有效抑制高耐压、大电流测试时的放电现象及接触电阻变化，提供稳定可靠的高精度测试环境。